威力泰商城新版上线,多种产品大优惠,欲购从速。
中国SMT信息网--SMT设备/贴片机/SMT展会/回流焊
SMT人才,半导体人才,防静电人才,PCB人才——电子人才招聘网
SMT网上商城
当前位置 : 首页 > SMT技术文章 > InGaP/GaAs HBT MMIC工艺流程

InGaP/GaAs HBT MMIC工艺流程

发表于:2009-10-05 04:51:16  
SMT产品,回流焊,BGA返修台——威力泰网上商城
SMT产品,回流焊,BGA返修台——威力泰网上商城
我们开发的4英寸InGaP/GaAs HBT MMIC工艺流程。每一个步骤都有大量的实验和数据支持,已经非常成熟。A. 制作对准标记。溅射金属Ti/W。在溅射金属之前,要用酸性腐蚀液对4 英寸外延片表面进行处理,否则标记金属容易起皱脱落。另外,在后面的工艺步骤中要注意对标记进行保护。 B.  蒸发发射极金属Ti/Pt/Au,Ti,Pt 和Au 分别为黏附层、阻挡层、导电层。InGaAs 和金属之间的接触势垒非常低,只要金属能和半导体良好浸润,紧密接触,就能形成欧姆接触,属于非合金欧姆接触。同时此金属将作为发射极腐蚀的掩膜。C. 发射极台面腐蚀。这一步很关键,发射极一般很细,腐蚀时间太长,侧向腐蚀过多,容易使发射极脱落。这一步也很复杂,包含InGaAs、GaAs 和InGaP三层腐蚀。首先用柠檬酸加H2O2 腐蚀InGaAs。然后NH4OH 加H2O2 腐蚀GaAs层,并去除残留在发射极周围的Ga2O3,然后用HCL 和H3PO4 腐蚀InGaP 层。D. 自对准基极金属。基极金属自对准技术有效地缩短了基极金属与发射极之间地距离,明显减小了基极电阻,是提高器件高频性能的重要手段,而且可以减小器件的面积。基本工艺是首先光刻基极图形,然后电子束蒸发Ti/Pt/Au。由于P 型基区是高掺杂的,与Ti/Pt/Au 接触一般认为会产生隧道电流,所以不用合金也可以产生很好的欧姆接触。E. 集电极台面腐蚀。采用柠檬酸和H2O2 腐蚀液,腐蚀基极和低掺杂集电极的GaAs 层。在纵向腐蚀的同时伴随有横向的侧向腐蚀(laterally etchedundercut, LEU)效应。这种效应正好用来减小集电极和基极之间的非本征电容。非本征电容的减小可以明显改善器件的高频性能。这步工艺的关键在于控制好腐蚀截止点。虽然腐蚀时间越长,非本征电容越小,但如果腐蚀到半绝缘衬底,集电极就无法引出,外延片就被彻底破坏了。而如果腐蚀不到高掺杂的集电极,则集电极引出时会加大集电极的串联电阻。F. 隔离腐蚀。腐蚀掉高掺杂的集电区使各个器件之间相互隔离。腐蚀不足会使器件相互之间有漏电,而腐蚀太过会加大半绝缘衬底到发射极的高度,不利于以后的布线。G.  蒸发集电极金属。光刻出集电极图形后,蒸发AuGeNi/Ag/Au。由于集电极的掺杂浓度不是很高,不能形成良好的欧姆接触。所以集电极金属需要退火。一般是在360~370℃的退火炉中,在N2 的氛围下,退火60 秒。退火后,AuGeNi/Ag/Au 与集电区可以形成良好的欧姆接触。最后,淀积介质保护层后,HBT 器件部分的工艺基本完成。H. 制作NiCr 电阻。利用溅射NiCr 并剥离的工艺形成高精度的电阻。I. 介质刻孔。将前面淀积的介质层刻孔,为后面的金属布线做准备。对于不同介质,刻孔的方法有些不同。我们一般用RIE 干法刻蚀Si3N4,用HF 腐蚀液湿法腐蚀SiO2。J. 第一次金属布线。图形光刻后,电子束蒸发Ti/Au。为了减小引线电阻,蒸发的金要厚一些。这次布线的主要作用是将HBT 的各极引出,同时制作电容的下电极和电感的下层引出线。K. PECVD 淀积200nm 的Si3N4,作为电容介质。L. RIE 干法刻蚀Si3N4,并光刻空气桥图形。作用与HEMT MMIC 中的空气桥相同。M. 第二次金属布线。与第一次金属布线相同,可将Au 加厚些。主要是制作最上层的互联线,电容的上电极和电感的上层引线。至此InGaP HBT MMIC工艺基本完成。后面是划片、封装等后道工序。Richard:前面的项目终于完成。现在开始和工艺和IC设计打交道了,接下来的安排:流片、建模、设计、流片、测试。眼下的两个电路,PA和DAC,足够忙活一年半载的了,愿一切顺利。***最近研读了HBT组前面毕业的师兄师姐的论文,刘洪刚、袁志鹏、郑丽萍、申华军、陈延湖,他们做的工作非常充足和系统化,奠定了我们今天稳定的GaAs HBT工艺基础。想起来上次和一个家伙的谈话,这家伙很嚣张,他说不相信我们的HBT工艺稳定,原因是他一个师姐做了四年都没有做好。自己做不好,就不相信别人可以做好,这是什么逻辑?!况且,他们没有超净间,没有工艺线,没有大量积累,怎么能够做好?老板是做HBT工艺出身,可以说在这方面很牛。现在加上金老师InP HBT的出色工作,我们HBT组更上层楼了。羡慕金老师的EDL和APL。***婷今天回来。终于可以摆脱孤单了。***曾轩说:发现外企面试的时候,总是一些刚进去的中国人在故意刁难。随机文章:GaAs(InP) HBT的优势与劣势 2008-04-19GaAs Magnetic Memory 2008-04-17器件建模为什么需要做脉冲测试? 2008-04-13III-V 化合物半导体 2008-04-08转移衬底的问题 2008-04-02收藏到:Del.icio.us关注社会人文焦点 汇聚百万博客看法 欢迎订阅博客大巴《看法》电子报

0 投票

SMT商贸网 SMT专家网 SMT专家论坛

热门文章

最新文章

电子导航网 防静电专家网 半导体信息网

随机推荐

PCB专家网 SMT视频分享平台 博客SMT

E-mail:blogsemi@126.com
版权所有 Copyright© 2008 - 2010 中国SMT信息网(http://smtsite.net)
本网站部分文章来源于网络,如有侵权请与我们联系,我们会及时处理