标签:干法刻蚀_中国SMT信息网--SMT设备/贴片机/SMT展会/回流焊

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新手学版图-理解版图的层

版图相对入门比较简单，但大多数新手只了解了表面的意思却没有真正理解版图。所以虽然能够将版图画出，却不能说明为什么要这样做。有鉴于此，本文就收集了一些资料，希望可以帮助新手们加速对版图的认识。本文介绍基本CMOS流程，不再强调如何操作软件，而是着重讲解具体的原因，因本人水平有限不足之处还望见谅。 ... 查看全文
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尖端科技

纳米技术纳米（符号为nm）是长度单位，原称毫微米，就是10^-9米（10亿分之一米），即10^-6毫米（100万分之一毫米）。所谓纳米技术，是指在0.1~100纳米的尺度里，研究电子、原子和分子内的运动规律和特性的一项崭新技术。科学家们在研究物质构成的过程中，发现在纳米尺度下隔离出来的几个、几 ... 查看全文
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微电子技术

微电子技术是随着集成线路，尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的，第二次 ... 查看全文
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氮化镓生产技术配方制备工艺专利技术资料

氮化镓生产技术配方制备工艺专利技术资料 01、氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 02、氮化镓基圆盘式单色光源列阵 03、氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法 04、往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板 05、一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法 0 ... 查看全文
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专利专利技术光盘 JC0910、石材类蚀刻工艺专利技术

专利专利技术光盘 JC0910、石材类蚀刻工艺专利技术1 02130235.9 利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置 2 03104233.3 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法 3 02104120.2 H+离子刻蚀金刚石核制备(001)高取向金 ... 查看全文
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中国IT产业空‘芯’

“我们存在技术空‘芯’的问题，为了尽快提高我们的核心竞争力，必须尽快研发或者提供自己的多媒体芯片。这个问题如果解决好了，将为移动终端的发展奠定非常好的基础。”2004年10月21日，北京人民大会堂，信息产业部科技司副司长张新生感慨地告诉记者。的确，空“芯”化已经成为中国IT产业无可避免的痛，中国“ ... 查看全文
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浇铸多晶硅片比重上升单电池生产成本下降2009.02

浇铸多晶硅片比重上升单电池生产成本下降2009/2/11/10:32来源：中国电子报作者：杨雷为使太阳能电池真正实现高效、稳定、长寿命，技术的发展和创新是关键中的关键。近几年来，飞速增长的太阳能电池产量和更大规模的产能扩充，加上金融动荡对中国光伏行业的巨大影响，中国光伏产业“两头在 ... 查看全文
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LED芯片(led chip)的生产工艺流程

外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。MOCVD介绍：金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical V ... 查看全文
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LED芯片的制造工艺流程

外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD介绍：金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chem ... 查看全文
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翻译笔记--低K电介质蚀刻

低K电介质蚀刻Low-k dielectric etch（一）中——英临界尺寸critical dimension/size光致抗蚀剂掩模 a photoresist mask光刻工艺photoetching technology/ photo lithography ( [li'θɔgrəfi] ... 查看全文
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发改委发布彩电业转型产业化专项问题通知

发改委发布彩电业转型产业化专项问题通知 21世纪网 2009-2-25 10:20:56 21世纪网讯国家发展改革委办公厅今日发布关于组织实施彩电产业战略转型产业化专项有关问题的通知。通知全文内容如 ... 查看全文
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芯片制造与半导体工艺技术 : 2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管

发表人:jgxdz标题: 2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管发表: 2007 10 06 09:061 引言随着固态发射机的发展，要求固态功率器件的输出功率越来越大，在4GHz以下频率，由于输出大功率的性能和价格优势，硅功率管仍占优势。在L波段以下是BJT和功率DMOSFET并存 ... 查看全文
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电子商务专业论文题目

电子商务专业论文题目法制建设与反腐倡廉试论依法行政在依法治国中的地位与作用我国电子政务发展趋势研究论传统文化对当今我国行政管理体制改革的影响公务员廉洁与其道德品质修养论培训对企业发展的影响论法治文明与道德进步论我国市场经济条件下的精神建设问题论行政道德与建设和 ... 查看全文
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InGaP/GaAs HBT MMIC工艺流程

我们开发的4英寸InGaP/GaAs HBT MMIC工艺流程。每一个步骤都有大量的实验和数据支持，已经非常成熟。A. 制作对准标记。溅射金属Ti/W。在溅射金属之前，要用酸性腐蚀液对4 英寸外延片表面进行处理，否则标记金属容易起皱脱落。另外，在后面的工艺步骤中要注意对标记进行保护。 B. 蒸发发 ... 查看全文
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离子注入后的光刻胶

USJ源/漏（S/D）形成工艺中，离子注入的砷（As）和磷（P）的浓度通常超过1×1015离子/cm2（图2），因此会在光刻胶表面形成坚硬的、碳化交联聚合物硬壳。由于这层碳化物硬壳通常无法通过标准的湿法清洗去除，例如：硫酸和双氧水的混合物（SPM）和SC1，因此在湿法清洗前需要通过等离子体将硬壳打破 ... 查看全文
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光刻 \湿刻＼干法刻蚀有何不同

答案一在芯片制造的过程中，硅片表面图形的形成主要依靠光刻和刻蚀两大模块。众所周知，光刻的目的是在硅片表面形成所需的光刻胶图形，刻蚀则紧接其后精确地将光刻胶的图形转移到衬底或衬底上的薄膜层上。然而越来越小的几何尺寸使这一目标的达成变得日益困难。通常一个被工程师认可的刻蚀工艺应该包含以下特性： * 良 ... 查看全文
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翻译笔记--低K电介质蚀刻

低K电介质蚀刻Low-k dielectric etch（一）中——英临界尺寸critical dimension/size光致抗蚀剂掩模 a photoresist mask光刻工艺photoetching technology/ photo lithography ( [li'θɔgrəfi] ... 查看全文
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氮化镓基高亮度LED核心专利分析

氮化镓基高亮度LED核心专利分析目前，世界范围内在GaN基高亮度LED及半导体全固态照明光源的研发方面居于领先水平的公司主要有：美国的Lumileds、HP/Agilent和Cree，日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony 、Toshiba和其他综合性大公司(如NEC、Matsush ... 查看全文
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InGaP/GaAs HBT MMIC工艺流程

我们开发的4英寸InGaP/GaAs HBT MMIC工艺流程。每一个步骤都有大量的实验和数据支持，已经非常成熟。A. 制作对准标记。溅射金属Ti/W。在溅射金属之前，要用酸性腐蚀液对4 英寸外延片表面进行处理，否则标记金属容易起皱脱落。另外，在后面的工艺步骤中要注意对标记进行保护。 B. 蒸发发 ... 查看全文
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power led

白光LED市场规模概况：LED的最大潜在应用是普通照明。随着技术的进步，高亮度白光LED正在一步步进军潜力巨大的灯光照明市场。根据Frost&Sullivan的统计，当前全球照明市场的年均增长率约为5.5%，2000年仅白炽灯、荧光灯的市场规模就达45亿美元。LED业界一般认为，白光LED照明市场 ... 查看全文

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